無水氯化鈰制取及其對轉化膜影響

2019-12-24

  用過量的氯化銨與氯化鈰混合,在密閉體系下,于120℃-370℃高溫、0.05-0.095MPa真空度下發生反應,得到含水量小于2.0%的無水氯化鈰,該法可操作性很強,工藝簡單,易于工業規模生產。

  采用氯化銨和氧化鈰為原料,利用自制成套氯化裝置于法制備無水氯化鈰,實現了批量生產.擴大試驗結果表明:在氧化鈰50 kg,氯化銨用量為理論量的2.4倍,均勻混料,反應溫度450℃,反應時間32 h,料層厚度15 em的條件下產品純度可達99.35%.

  采用電化學方法研究6061鋁合金在以CeCl_3(0~60mg/L)為添加劑的鉻酸鹽處理液中所得轉化膜的防護性能。極化曲線測試結果表明,加入適量的CeCl_3(20~40mg/L),使電極的腐蝕電位E_(corr)和點蝕電位E_(pit)提高很多;電化學阻抗(EIS)測試結果表明,加入CeCl_3后,膜層的阻抗大幅度增加。加入適量的CeCl_3可以有效改良膜層的防護性能,而過量的CeCl_3(60mg/L)卻使其性能變差。


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