氯化鑭體材料1981年已經合成出來。計算表明該單層結構很容易被剝離，同時在室溫下也很穩定。通過初性原理計算，我們揭示其具有面內鐵磁基態，并且節點線簡并態的軌道成分達到形成面內磁矩的要求。此外，面內磁矩在能量上具有各向同性特點，為實驗上通過外磁場來調控面內磁矩方向提供了可能。

　　隨后，我們系統研究了單層氯化鑭的拓撲特性。該材料晶體結構對稱性較高，當面內磁矩沿特定角度時，自旋軌道耦合會打開簡并的二維節點線，并退化成垂直于磁矩方向的鏡面上兩個簡并點，從而形成半金屬相。然而，當面內磁矩沿其它角度時，體系不存在鏡面對稱性，自旋軌道耦合會在簡并的節點線上每個點都打開帶隙，從而實現量子反?；魻栃?。

　　進一步，量子反?；魻栃獙耐負鋽凳顷悢?，而這里陳數可以為 +1 或 -1。當面內磁矩方向跨過半金屬相對應的特定角度，體系所對應的陳數就會反號。這意味著半金屬相對應的就是拓撲相變的相變點。然后，還可以構造該體系的模型哈密頓量，借助緊束縛近似處理得到的結果與初性原理計算的結果嚴格相同，從而更進一步說明了單層氯化鑭體系的拓撲特性。